董维杰

  教授   硕士生导师


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不同组分PZT压电薄膜的性能

论文类型:期刊论文

第一作者:邵春玉

合写作者:王兢,刘梦伟,董维杰,崔岩

发表时间:2007-04-25

发表刊物:功能材料与器件学报

收录刊物:PKU、ISTIC、CSCD

卷号:13

期号:2

页面范围:123-128

ISSN号:1007-4252

关键字:锆钛酸铅;溶胶-凝胶;前烘温度;薄膜组分;电滞回线

摘要:采用sol-gel工艺在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了不同条件的锆钛酸铅(PZT)薄膜.分析了不同的前烘温度、不同锆钛比例对PZT薄膜的微观结构和电特性所产生的影响.SEM分析结果显示,铁电薄膜的晶化较完善,薄膜表面均匀致密.用X射线衍射分析了不同条件制备的PZT薄膜,表明薄膜的微观结构和取向不仅对热处理的条件非常敏感,而且也深受薄膜组分的影响.铁电测试表明对PZT(锆/钛=30/70),300℃热处理的薄膜具有最大的自发极化值.而对于不同锆钛比的薄膜,在准同型相界附近的53/47配比的PZT薄膜表现出最好的铁电性、介电性和最高的体电阻率.

上一条: 水热法制备压电双晶片的研究

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