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个人信息Personal Information
教授
博士生导师
硕士生导师
性别：男
毕业院校：复旦大学
学位：博士
所在单位：物理学院
学科：凝聚态物理
办公地点：大连理工大学三束材料改性重点实验室1号楼203房间
联系方式：qyzhang@dlut.edu.cn 0411-84707930 转 13
电子邮箱：qyzhang@dlut.edu.cn
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生长温度对Ge2Sb2Te5薄膜的相变行为以及微观结构的影响
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论文类型：会议论文
发表时间：2006-08-21
页面范围：328-332
关键字：Ge2Sb2Te5薄膜;射频磁控溅射;表面形貌;薄膜反射率;生长温度
摘要：本文采用射频磁控溅射方法,分别在玻璃和具有本征氧化层的Si(100)基片上制备了Ge2Sb2Te5相变薄膜.利用X射线衍射仪、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、紫外分光光度计等对薄膜进行了表征,研究了不同生长温度(室温～300℃)的Ge2Sb2Te5薄膜的表面形貌和结晶特性.分析结果表明:室温沉积的薄膜为非晶态;沉积温度为100℃～250℃时,薄膜转变为晶粒尺度约14 nm的面心立方结构;300℃～350℃沉积的薄膜有少量的六方相出现.薄膜表面粗糙度随着沉积温度的升高逐渐递增,且薄膜的反射率变化与表面粗糙度有直接的关系.