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个人信息Personal Information
教授
博士生导师
硕士生导师
性别：男
毕业院校：复旦大学
学位：博士
所在单位：物理学院
学科：凝聚态物理
办公地点：大连理工大学三束材料改性重点实验室1号楼203房间
联系方式：qyzhang@dlut.edu.cn 0411-84707930 转 13
电子邮箱：qyzhang@dlut.edu.cn
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Be掺杂纤锌矿ZnO电子结构的第一性原理研究
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论文类型：期刊论文
发表时间：2008-12-01
发表刊物：物理学报
收录刊物：EI、PKU、ISTIC、CSCD、SCIE、Scopus
卷号：57
期号：12
页面范围：7806-7813
ISSN号：1000-3290
关键字：密度泛函理论;电子结构;Be掺杂ZnO
摘要：采用密度泛函理论结合投影缀加波方法,对Be掺杂导致ZnO禁带宽度增加的机理进行了研究.通过对掺杂前后电子能带结构、总态密度以及分态密度的计算和比较,发现导带底(CBM)是由Be 2s电子与Zn 4s电子共同控制;而BexZn1-xO价带顶 (VBM)始终由O 2p电子占据.随着掺杂量的增加,决定带隙宽度的CBM的位置上升,同时VBM的位置下降,从而导致了带隙的变宽,出现了蓝移现象.此外,Be掺杂会使晶胞发生压缩,这种压应变也是导致BexZn1-xO禁带宽度变宽的原因之一.