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    陈硕

    • 教授     博士生导师   硕士生导师
    • 性别:女
    • 毕业院校:大连理工大学
    • 学位:博士
    • 所在单位:环境学院
    • 学科:环境工程. 环境科学
    • 办公地点:大连理工大学环境学院B717
    • 联系方式:0411-84706263
    • 电子邮箱:shuochen@dlut.edu.cn

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    硅掺杂TiO2纳米管阵列的制备及光电催化活性的研究

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    论文类型:期刊论文

    发表时间:2009-09-20

    发表刊物:功能材料

    收录刊物:EI、PKU、ISTIC、CSCD、Scopus

    卷号:40

    期号:9

    页面范围:1429-1431,1435

    ISSN号:1001-9731

    关键字:Ti02纳米管阵列;硅掺杂;光电催化

    摘要:通过电化学沉积,在阳极氧化法制备的高度有序TiO2纳米管阵列表面均匀地沉积Si元素.扫描电子显微照片显示Si掺杂的TiO2纳米管垂直于基底定向生长.X射线衍射分析表明,所引入的Si可能掺入到TiO2的晶格中,因而提高了TiO2的热稳定性,抑制了金红石相的生成及晶粒的长大.紫外-可见漫反射分析表明Si掺杂的TiO2纳米管吸收边带发生了明显的蓝移,并且在紫外区的吸收强度明显增强.与未掺杂的TiO2纳米管相比,Si掺杂TiO2纳米管电极的紫外光电化学响应显著提高,其光电流密度是未掺杂的1.48倍.硅掺杂TiO2纳米管阵列光电催化降解五氯酚的动力学常数(1.651h-1)是未掺杂TiO2纳米管电极(0.823h-1)的2.0倍.