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论文类型：会议论文

发表时间：2006-09-01

卷号：Vol.26

页面范围：6

关键字：反应射频磁控溅射;GDC电解质薄膜;基片温度;X射线衍射;原子力显微镜

摘要：利用Gd／Ce镶嵌复合靶、采用反应射频磁控溅射技术制备了Gd2O3掺杂CeO2(GDC)氧离子导体电解质薄膜,重点探讨了基片温度对薄膜物相结构、沉积速率及生长形貌的影响。分析结果表明,不同温度下制备的薄膜中,立方面心结构 GDC固溶体相占主导,同时存在少量体心立方结构Gd2O3中间相;GDC薄膜的生长取向随基片温度而变化,200℃时,无择优取向,500℃时薄膜呈现(220)织构,700 ℃则为(111)择优取向;薄膜沉积速率随基片温度呈阶段性规律变化,(220)方向择优生长越显著,沉积速率越高,薄膜粗糙度越大;AFM分析表明,薄膜为岛状生长,随温度升高,表面生长岛尺寸增大,岛密度变小。