周大雨 博士、教授、博士生导师，材料科学与工程一级学科博士点点长，苏州实验室“新兴纤锌矿宽禁带铁电材料研究”项目首席技术专家。

大学本科及硕士毕业于电子科技大学电子材料与元器件专业，1999至2010年期间在德国先后攻读博士学位（卡尔斯鲁厄工业大学）、主持完成德国研究基金会（DFG）项目、担任德雷斯顿奇梦达公司（Qimonda Dresden）研发工程师、德累斯顿工业大学NaMLab研究所研究员。2010年10月进入大连理工大学材料学院工作，主持国家自然科学基金面上项目4项、国家自然科学基金中德双边国际会议项目1项、省部级项目5项、企业委托研发课题多项；与德国德累斯顿工业大学NaMLab研究所、苏州实验室、华为技术有限公司、中国电子科技集团等建立有密切的科研合作和人员交流关系。

主要研究领域：电子功能材料与器件，包括：介电、压电和铁电材料与器件，纤锌矿宽禁带铁电半导体薄膜、基因测序芯片电极薄膜、电阻式传感器薄膜、片上微型超级电容器等。

可提供小批量生产的薄膜产品包括：氮化钛（TiN）、氮化铪（HfN）、氮化锆（ZrN）、纤锌矿压电铁电薄膜（AlScN和ZnMgO），衬底最大为8英寸。

主要学术贡献：（1）在压电铁电陶瓷材料研究领域，以汽车发动机压电燃油喷射阀为研究背景，独立设计建造了大应力-强电场耦合加载实验平台，首次对压电执行器工业实际应用的PZT陶瓷材料在单轴预应力下的铁电行为和直流偏压下的铁弹性响应进行了深入研究；开创性地开展了多轴力电耦合加载试验，提出了压电陶瓷材料的屈服和硬化条件；在国际上率先对压电陶瓷的室温蠕变特性进行了系统深入的实验研究。（2）在高-k电介质薄膜研究领域，参加了原世界第二大内存芯片制造商--德国Qimonda公司65 nm和46 nm两代内存产品的研发和量产定型，对存储电容器用HfO₂和ZrO₂ 高-k薄膜的可靠性进行了系统评估；作为研发团队核心成员参加了HfO₂基纳米薄膜铁电性质的原始发现和验证工作，在国内最早开展了该新型铁电材料研究。（3）在国际上首创“钛（Ti）粘附层\氮化钛（TiN）电子输运集流体层\氮氧化钛（TiON）超高比电容层”叠层电极薄膜结构设计和磁控溅射原位连续生长技术，通过各纳米薄膜层之间的功能耦合，使电极材料同时兼具强结合力、高导电性、超高比电容和生物相容等优异的物理及生化特性。该新材料及制备技术突破了国外专利技术垄断，成功应用于国内基因测序头部企业测序芯片产品的批量生产。

发表论文90余篇，被他引2300余次，论文发表详细情况参见相关网站：

https://www.scopus.com/authid/detail.uri?authorId=55471345600

https://publons.com/researcher/2861691/dayu-zhou/

课题组拥有的主要实验设备：8英寸生产级双腔室磁控溅射沉积系统、6英寸3腔室高真空磁控溅射沉积系统、4英寸双腔室磁控溅射沉积系统、小型双靶磁控溅射镀膜仪、溶胶-凝胶工艺成套设备、美国Radiant Multiferroic 100 V铁电测试仪、8英寸变温探针台、白光干涉仪、4探针方阻测试仪、电化学工作站、臭氧气泡-紫外-超声清洗机等。

欢迎有志于从事薄膜材料生长技术、铁电薄膜与半导体集成器件、导电薄膜与器件应用等研究的助理教授、博士后、博士和硕士研究生加入课题组！