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Indexed by:期刊论文

Date of Publication:2019-05-10

Journal:核技术

Included Journals:PKU

Volume:42

Issue:5

Page Number:050501

ISSN No.:0253-3219

Key Words:4H-SiC;肖特基二极管;γ射线;探测器;电学特性;能量分辨率

Abstract:碳化硅材料因其禁带宽度大、晶体原子离位能高等物理特性,被视为制作耐高温、抗辐射器件极具代表性的宽带隙半导体材料.为观察辐照对4H-SiC肖特基二极管带电粒子探测器的电学特性及对α粒子响应的能量分辨率的影响.利用60Co源的γ射线对4H-SiC肖特基二极管探测器进行辐照实验.经过总剂量为1 000 kGy的γ射线辐照后,探测器的正向电流相较于辐照前减小了三个数量级;反向电流值在0~120 V偏压下没有明显变化,当反向偏压高于120 V时,反向电流值变化明显.同时,辐照前后对α粒子的能量分辨率没有明显变化.