夏晓川
  • 学位:博士
  • 职称:副教授
  • 学科:微电子学与固体电子学
  • 所在单位:集成电路学院
教师拼音名称:xiaxiaochuan
硕士生导师
博士生导师
主要任职:集成电路学院副院长
其他任职:副院长
性别:
毕业院校:吉林大学
所在单位:集成电路学院
办公地点:大连理工大学开发区校区信息楼211室
联系方式:0411-84707865
电子邮箱:xiaochuan@dlut.edu.cn
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标题:
氧源对氧化锌薄膜基本性质的影响
点击次数:
论文类型:
会议论文
页面范围:
362-364
关键字:
氧化锌;MOCVD方法;氧源
摘要:
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法,分别以高纯O2和NO作为氧源,在c面蓝宝石衬底上生长ZnO薄膜。XRD测试结果显示,ZnO薄膜都为(0002)面单一取向;但相较于使用O2氧源,改用NO氧源后,ZnO薄膜的晶体质质量得到了提高.(0002)面衍射峰的半峰宽由0.201°减小到0.192°,晶粒平均尺寸则由40.2皿增大到42.8nm。SEM测试结果显示,采用NO作氧源时,ZnO薄膜内的晶粒间界明显消除。同时低温PL测试结果表明,由于晶体质量的提高,使得采用NO氧源生长出的ZnO薄膜的紫外发光效率显著增强。
发表时间:
2010-10-25
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