论文成果
聚酰亚胺薄膜旋涂工艺及其抗电击穿性能
  • 点击次数:
  • 论文类型:期刊论文
  • 发表时间:2019-04-03
  • 发表刊物:传感器与微系统
  • 文献类型:J
  • 卷号:38
  • 期号:4
  • 页面范围:4-7
  • ISSN号:1000-9787
  • 关键字:聚酰亚胺;薄膜;旋涂;电击穿
  • 摘要:采用旋涂法制备了高质量的聚酰亚胺薄膜,研究了薄膜厚度与旋涂转速之间的关系;对不同厚度的旋涂薄膜进行了电击穿实验,探讨了膜厚对击穿性能的影响.结果表明:聚酰亚胺薄膜的厚度与旋转速度平方根的倒数(ω-1/2)呈线性正相关,通过控制转速可获得不同膜厚;薄膜越厚,击穿电压越高,但其平均击穿强度越低.在280℃的亚胺化条件下,旋涂薄膜的最高击穿电压为2370 V,最大击穿场强为286.33 kV/mm,可满足大多数微系统对绝缘性能的要求.

上一条: 退火工艺对薄膜型铂电阻热阻特性的影响探究

下一条: Thermally Assisted Electrohydrodynamic Jet High-Resolution Printing of High-Molecular Weight Biopolymer 3D Structures