• 其他栏目

    黄火林

    • 副教授 硕士生导师
    • 曾获荣誉 : 大连市青年科技之星
    • 性别 : 男
    • 出生年月 : 1982-09-16
    • 毕业院校 : 厦门大学
    • 学位 : 博士
    • 在职信息 : 在职
    • 所在单位 : 物理与光电工程学院
    • 学科 : 微电子学与固体电子学 光学工程 凝聚态物理
    • 办公地点 : 大连理工大学 物理与光电工程学院 431室
    • 联系方式 : 15164030766
    • Email :

    访问量 :

    开通时间 : ..

    最后更新时间 : ..

    个人简介

    黄火林, 现任大连理工大学物理与光电工程学院副教授,硕士生导师。2016年入选大连市青年科技之星。2006年本科和2011年博士毕业于厦门大学物理系,师从半导体探测器领域专家吴正云教授,从事二氧化钛和碳化硅等宽禁带半导体材料生长和紫外光电探测器的研制工作。2011年8月至2014年10月在新加坡国立大学(NUS)电机工程系(ECE)从事博后研究工作,合作导师为Y.C. Liang教授,博后期间负责带领多名博士生开展《高压高功率硅衬底氮化镓材料功率电子器件技术研发》项目(750W人民币)。该项目典型成果是获得+5V阈值电压和超过1200V击穿电压性能的常关型功率器件,以及基于无金(Au-free)工艺技术的+2V阈值电压和600V击穿电压的常关型功率器件,项目指标达到同期国际先进水平。目前主要从事氮化镓基材料外延生长和电子器件的研制工作,至今已在IEEE Electron Device Letters、IEEE Transactions on Power Electronics等重要学术期刊和国际会议上发表学术论文数十篇。

    主持课题:
    1、基于纵向短栅极沟道结构的低导通电阻常关型GaN基HEMT器件制备研究(国家自然科学基金项目)
    2、多重2DEG沟道和凹槽栅组合GaN MOS-HEMT器件的研制(安徽省自然科学研究 重大项目)
    3、低导通电阻大阈值电压常关型AlGaN/GaN基HEMT器件制备研究(辽宁省教育厅项目)
    4、常关型GaN基功率器件的仿真与制作(中央高校基本科研业务经费--引进人才专项)

    代表性论文:
    [1] Huolin Huang and Y.C. Liang, "Formation of combined partially recessed and multiple fluorinated-dielectric layers gate structures for high threshold voltage GaN-based HEMT power devices", Solid-State Electronics 114, 148-154 (2015).
    [2] Huolin Huang, Yung C. Liang, Ganesh S. Samudra, Ting-Fu Chang, and Chih-Fang Huang, “Effects of Gate Field Plates on the Surface State Related Current Collapse in AlGaN/GaN HEMTs”, IEEE Trans. Power Electron. 29, 2164-2173 (2014).
    [3] Huolin Huang, Yung C. Liang, Ganesh S. Samudra, and Cassandra Low Lee Ngo, “Au-Free Normally-off AlGaN/GaN-on-Si MIS-HEMTs using Combined Partially Recessed and Fluorinated Trap-Charge Gate Structures”, IEEE Electron Device Lett. 35, 569 (2014).
    [4] Huolin Huang, Yannan Xie, Zhifeng Zhang, Feng Zhang, Qiang Xu, Zhengyun Wu, “Growth and fabrication of sputtered TiO2 based ultraviolet detectors”, Appl. Surf. Sci. 293, 248-254 (2014).
    [5] Huolin Huang, Yannan Xie, Weifeng Yang, Feng Zhang, Jiafa Cai, and Zhengyun Wu, “Low-Dark-Current TiO2 MSM UV Photodetectors with Pt Schottky Contacts”, IEEE Electron Device Lett. 32, 530 (2011).
    [6] Huolin Huang, Weifeng Yang, Yannan Xie, Xiaping Chen, and Zhengyun Wu, “Metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors based on TiO2 films deposited by radio frequency magnetron sputtering”, IEEE Electron Device Lett. 31, 588 (2010).
    [7] Huolin Huang, Zhonghao Sun, et al., "Performance-Improved Normally-off AlGaN/GaN High-Electron Mobility Transistors with a Designed p-GaN Area under the Recessed Gate", 13th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, 2016, October 25-28, Hangzhou, China.
    [8] Huolin Huang, Yun-Hsiang Wang, Yung C. Liang, Ganesh S. Samudra, Hongwei Liang, Xiaochuan Xia, and Guotong Du, "Formation of Gate Structure by Multiple Fluorinated Dielectric Layers on Partially Recessed Barrier for High Threshold Voltage AlGaN/GaN Power HEMTs", 11th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-11), 2015, August 30 - September 4, Beijing, China.
    [9] Huolin Huang, Yun-Hsiang Wang, Yung C. Liang, Ganesh S. Samudra, Chih-Fang Huang, and Wei-Hung Kuo, “5V High Threshold Voltage Normally-off MIS-HEMTs with Combined Partially Recessed and Multiple Fluorinated-Dielectric Layers Gate Structures”, 46th SSDM 2014, September 8-11, 2014, Ibaraki, Japan.
    [10] Huolin Huang, Yung C. Liang, Ganesh S. Samudra, and Chih-Fang Huang, “Design of Novel Normally-off AlGaN/GaN HEMTs with Combined Gate Recess and Floating Charge Structures”, IEEE PEDS 2013, April 22-25, 2013, Kitakyushu, Japan.
    [11] Huolin Huang, Yung C. Liang, and Ganesh S. Samudra, “Theoretical Calculation and Efficient Simulations of Power Semiconductor AlGaN/GaN HEMTs”, IEEE EDSSC 2012, December 3-5, 2012, Chulalongkorn University, Bangkok, Thailand.
    [12] Huolin Huang, Yung C. Liang, Ganesh S. Samudra, Yuling Li, and Yee-Chia Yeo, “Modelling and Simulations on Current Collapse in AlGaN/GaN Power HEMTs”, SISPAD 2012, September 5-7, 2012, Denver, CO, USA.

    申请和授权发明专利:
    [1] 具有纵向栅极结构的常关型HEMT器件及其制备方法
    [2] 具有三明治栅极介质结构的HEMT器件及其制备方法
    [3] 一种纵向短开启栅极沟道型HEMT器件及其制备方法
    [4] 高电子迁移率晶体管制作方法
    [5] 一种二氧化钛紫外光电探测器的制备方法

    教育经历

    2006.9 -- 2011.7
    厦门大学       凝聚态物理       博士

    2002.9 -- 2006.7
    厦门大学       物理学       学士

    工作经历

    2014.12 -- 至今

    大连理工大学物理与光电工程学院

    2011.8 -- 2014.9

    新加坡国立大学

    社会兼职

  • 1、国家自然科学基金项目评审专家
    2、美国电气电子工程师学会(IEEE)会员
    3、IEEE EDL, TED, APL, ACS Applied Materials & Interfaces, Nanotechnology, ECS Journal of The Electrochemical Society, International Journal of Electrical Power and Energy Systems等十多个国际学术期刊的评审专家

  • 研究方向

  • 研究方向:
    1、氮化镓材料外延生长、HEMT器件制作及高温高压可靠性研究
    2、氮化镓材料垂直结构功率器件与芯片模块研制
    3、功率半导体器件仿真模拟