男，1977年出生于长春，大连理工大学国家示范性微电子学院（筹）特聘研究员，博士生导师。本科毕业于吉林大学，博士毕业于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所。2004年就职于中科院长春光机所任助理研究员，2006年晋升副研究员，2011年晋升研究员。2021年入职大连理工大学，被聘为特聘研究员。

  一直从事宽禁带半导体探测器件研究。研制出峰值对带外抑制比超过8个数量级的日盲紫外探测器，归一化探测度达到6.6×10¹⁶ Jones，两参数均处于迄今报道的双端器件的最高值水平；研制出超低阈值电压5V的日盲紫外雪崩探测器；利用阻变机制实现了光电导增益探测器的响应速度可控。研制出柔性钙钛矿基X射线闪烁体成像屏，最低检测限为16 nGy_air/s，成像空间分辨率达到20线对/毫米，相关成果发表于国际著名期刊Advanced Optical Materials、ACS Applied Materials & Interfaces和Advanced Functional Materials。

共发表SCI论文200余篇。获吉林省科学技术进步一等奖4项，第四届徐叙瑢发光学优秀青年论文二等奖。主持国家自然科学基金面上项目3项，辽宁省揭榜挂帅课题1项。以第二承担单位负责人主持国家973课题1项，中国科学院科研装备研制项目1项。

主持或参加科研项目：

(1)国家自然科学基金面上项目，62074146，基于宽禁带氧化物的高灵敏度紫外探测与记忆器件研究，2021-01至2024-12，59万元，在研，主持

(2)辽宁省“揭榜挂帅”科技计划项目课题，氢气钯膜纯化技术及分析检测方法的开发研究，2023-01至2024-12,20万元，在研，主持

(3)国家自然科学基金面上项目，61376054，基于Ga2O3/MgZnO扩散增强掺杂pn结的日盲紫外雪崩探测器研究，2014-01至2017-12，81万元，已结题，主持

(4)国家重点基础研究发展计划（973计划）课题，II族氧化物半导体外延薄膜表面界面工程及器件结构研究，2011-01至2015-08，487万元，已结题，第二单位主持（163万元）

(5)国家自然科学基金面上项目，10974197，MgZnO价带顶对称性及其对带间跃迁几率的影响，2010-01至2012-12，32万元，已结题，主持

 

学术奖励

(1) 张振中(排名5/9); 宽禁带氧化物半导体载流子分离调控新策略及其应用, 吉林省科学技术奖励委员会, 自然科学, 省部一等奖, 2019(申德振; 刘雷; 刘可为; 李炳辉; 张振中; 李科学; 陈星; 谢修华; 徐辑廉). (科研奖励)

(2) 张振中(排名9/10); II族氧化物激光材料与器件研究, 吉林省科学技术奖励委员会,自然科学, 省部一等奖, 2015(申德振; 单崇新; 姚斌; 张吉英; 李炳辉; 朱海; 乔倩;赵东旭; 张振中; 范希武). (科研奖励)

(3) 张振中(排名10/13); 氧化锌基紫外光电探测材料与器件研究, 吉林省科技进步奖励委员会, 科技进步, 省部一等奖, 2012(申德振; 单崇新; 张吉英; 朱海; 赵东旭;鞠振刚; 刘吉山; 刘可为; 王立昆; 张振中; 李炳辉; 王双鹏; 范希武). (科研奖励)

(4) 张振中(排名5/14); 在蓝宝石衬底上研制ZnO同质pn结及其蓝紫色电致发光, 吉林省科学技术进步奖励委员会, 科技进步, 省部一等奖, 2008(申德振; 吕有明; 矫淑杰;李炳辉; 张振中; 梁红伟; 魏志鹏; 刘益春; 张喜田; 李炳生; 姚斌; 赵东旭; 张吉英;范希武). (科研奖励)

人才认证：

大连市2021年全职引进高层次人才“高端人才”（19号文2021年第2批）2021年

社会兼职：

辽宁省半导体行业协会首批专家

近十年代表性论文

1.Wenyi Shao, Guoyang Zhu, Xiang Wang, Zhenzhong Zhang,* Haocheng Lv, Weibo Deng, Xiaodong Zhang, and Hongwei Liang, Highly Efficient, Flexible, and Eco-Friendly Manganese(II) Halide Nanocrystal Membrane with Low Light Scattering for HighResolution X‑ray Imaging, ACS Appl. Mater. Interfaces 2023, 15, 932−941

2.Wenyi Shao, Xiang Wang, Zhenzhong Zhang*, Jie Huang, Zhongyuan Han, Shuai Pi,Qiang Xu, Xiaodong Zhang, Xiaochuan Xia, and Hongwei Liang, Highly Efficient and Flexible Scintillation Screen Based on Manganese (II) Activated 2D Perovskite for Planar and Nonplanar High-Resolution X-Ray Imaging, Adv.Optical Mater. 2022, 2102282

3. Zhiyao Zheng; Baoshi Qiao; Zhenzhong Zhang* ; Xiaoqian Huang; Xiuhua Xie; Binghui Li; Xing Chen; Kewei Liu; Lei Liu; Dezhen Shen ; High Detectivity of Metal–Semiconductor–Metal Ga2O3 Solar-Blind Photodetector Through Thickness-Regulated Gain, IEEE Transactions on Electron Devices, 2022, 69(8): 4362-4365

4. Baoshi Qiao, Zhenzhong Zhang*, Xiuhua Xie, Binghui Li, Xing Chen, Haifeng Zhao, Kewei Liu, Lei Liu and Dezhen Shen, Quenching of persistent photocurrent in an oxide UV photodetector, J. Mater. Chem. C, 9, (2021) 4039

5. Baoshi Qiao, Zhenzhong Zhang*, Xiuhua Xie, Binghui Li, Kexue Li, Xing Chen,

Haifeng Zhao, Kewei Liu, Lei Liu, and Dezhen Shen, Avalanche Gain in Metal−Semiconductor−Metal Ga2O3 Solar-Blind Photodiodes, J. Phys. Chem. C, 123, (2019)18516−18520

6. Xingyou Chen, Zhenzhong Zhang*, Bin Yao, Yonggang Zhang, Yi Gu, Pengcheng Zhao, Binghui Li, Dezhen Shen, The effect of boron on the doping efficiency of nitrogen in ZnO, J. Alloys and Compd. 672 (2016) 260-264

7. Xiuhua Xie, Zhenzhong Zhang*, Binghui Li, Shuangpeng Wang, and Dezhen Shen, Ultra-low threshold avalanche gain from solarblind photodetector based on graded-band-gapcubic- MgZnO, Opt. Express, 23 (2015)32329

8. Xiaojie Wu, Zhenzhong Zhang*, Fanzhi Meng, Yingning Yu, Lin Han, Xiaojuan Liu and Jian Meng, Core–shell-like Y2O3:[(Tb3+–Yb3+), Li+]/CdZnS heterostructure synthesized by super-close-space sublimation for broadband down-conversion, Nanoscale, 6 (2014) 4745

9. Xiuhua Xie, Zhenzhong Zhang*, Binghui Li, Shuangpeng Wang, Mingming Jiang, Chongxin Shan, Dongxu Zhao, Hongyu Chen, and Dezhen Shen, Enhanced solar-blind responsivity of photodetectors based on cubic MgZnO films via gallium doping, Opt. Express, 22, (2014)246-253

10. X. H. Xie, Z. Z.Zhang*, B. H. Li, S. P. Wang, M. M. Jiang, C. X. Shan, D. X. Zhao, H. Y. Chen, D. Z. Shen, Mott-type MgxZn1-xO-based visible-blind ultraviolet photodetectors with active anti-reflection layer, Appl. Phys. Lett., 102, (2013)231122

1992.9 - 1995.7

长春市第十一中学   \

1995.9 - 1999.7

吉林大学   化学   学士

1999.9 - 2004.8

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所   凝聚态物理   博士

2021.1 - 至今

大连理工大学微电子学院   特聘研究员

2004.8 - 2020.12

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所   研究员

辐射探测与成像技术是有效的无损检测手段，在物质研究、空间科学、环境监测、医疗健康、锂电研发等领域具有不可替代的作用。基于SiC、GaN、氧化镓等宽禁带半导体的辐射探测器，具有体积小、易集成、耐高温、耐辐射等优异特性，在前沿科学研究、国防安全和经济生产中展现出巨大的应用前景。钙钛矿及相关材料具有优异的发光性能，因可以调控其中的金属元素种类和氢元素的含量，对X射线和中子具有较敏感的探测能力，相关研究日益受到人们的重视，是快中子-X射线混合场成像的理想材料。

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       紫外光电探测在空间科学、国防安全、工业生产、环境监测、医疗健康等领域具有重要的应用。由于臭氧层的吸收，200-280nm波段的太阳光无法到达地面，在近地面十几千米的范围产生了太阳光的盲区，这一波段也被称为日盲紫外波段。针对日盲紫外的光电探测，在火灾监测、导弹预警、高压漏电监测、局域保密通信以及臭氧监测等方面展现了巨大应用潜力。

       具有合适禁带宽度的半导体材料，是制造紫外光电探测器的理想材料，半导体的光吸收性质可以使器件具有优良的光谱选择特性，不必像真空器件或窄禁带半导体器件需要昂贵滤光片的配合。基于宽禁带半导体的紫外探测器，还可以在高温、高辐射场景使用，其研发工作备受人们关注。

团队名称： 宽禁带半导体器件集… 团队介绍： 主要研究方向为第...