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论文类型：期刊论文

发表时间：2012-04-15

发表刊物：真空科学与技术学报

收录刊物：Scopus、EI、PKU、ISTIC、CSCD

卷号：32

期号：4

页面范围：279-284

ISSN号：1672-7126

关键字：等离子体;鞘层;二次电子发射;磁场

摘要：建立了包括电子、离子以及器壁发射二次电子的磁化等离子体鞘层流体模型,采用四阶龙格库塔法数值研究了伴有二次电子发射的磁鞘结构特性.模拟结果显示二次电子发射对于弱磁等离子体鞘层中的离子密度影响较大,而对于磁场较强的等离子体鞘层,鞘层中离子密度分布主要由磁场来决定.磁场的存在可以促进器壁电子的发射,磁场的增加或二次电子发射系数的增加都将使得鞘层厚度的减小,同时将导致沉积到器壁的离子动能流发生变化,从而直接影响器壁材料的性能.