梁大成

个人信息Personal Information

高级工程师

性别:男

毕业院校:吉林大学

学位:学士

所在单位:集成电路学院

电子邮箱:liangdc@dlut.edu.cn

扫描关注

科研项目

当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 科研项目

SiC MOS器件近界面氧化物缺陷与阈值电压漂移抑制技术研究

点击次数:

负责人姓名:王德君

项目参与人员:秦福文,梁大成

项目来源:国家自然科学基金项目

项目子类:面上项目

项目状态:结题

项目来源单位:国家自然科学基金委员会

项目性质:纵向

项目批准号:61874017

立项时间:2018-08-16

计划完成时间:2022-12-31

开始日期:2019-01-01

结项日期:2023-03-31