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论文类型：期刊论文

发表时间：2007-09-15

发表刊物：强激光与粒子束

收录刊物：EI、PKU、ISTIC、CSCD、Scopus

卷号：19

期号：9

页面范围：1561-1566

ISSN号：1001-4322

关键字：脉冲激光沉积;脉冲激光烧蚀;等离子体;晶体锗

摘要：针对激光烧蚀半导体材料Ge初期的特点,建立了1维的热传导和流体动力学模型.对波长为248 nm、脉宽为17 ns、峰值功率密度为4×108 W/cm2的KrF脉冲激光在133.32 Pa氦气环境下烧蚀Ge产生等离子体的特性进行了数值模拟.结果表明:单个激光脉冲对靶的烧蚀深度达到55 nm,蒸气膨胀前端由于压缩背景气体产生压缩冲击波, 波前的速度最大,温度很高.从不同时刻的电离率分布图中得出,在靶面附近区域,Ge的1阶电离始终占优势;在中心区域,脉冲作用时间内,Ge的2阶电离率比1阶电离率大,脉冲结束后,Ge的2阶电离率下降,1阶电离率逐渐变大.