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个人信息Personal Information
工程师
性别：男
毕业院校：大连理工大学
学位：硕士
所在单位：集成电路学院
电子邮箱：lyang@dlut.edu.cn
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含InGaN插入层的非故意掺杂高阻GaN的外延生长和特性研究
点击次数：
发表时间：2022-10-10
发表刊物：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
页面范围：28-29
备注：新增回溯数据
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工程师
性别：男
毕业院校：大连理工大学
学位：硕士
所在单位：集成电路学院
电子邮箱：lyang@dlut.edu.cn
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发表时间：2022-10-10
发表刊物：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
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