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    秦福文

    • 副教授 硕士生导师
    • 性别 : 男
    • 出生年月 : 1968-08-31
    • 毕业院校 : 大连理工大学
    • 学位 : 博士
    • 在职信息 : 在职
    • 所在单位 : 物理与光电工程学院
    • 学科 : 凝聚态物理
    • 办公地点 : 大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室2号楼304
    • 联系方式 : qfw@dlut.edu.cn
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    个人简介

    1994年7月至今,在大连理工大学物理学院工作,为大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室固定研究人员。作为主要参与者,参加了大连理工常州研究院有限公司和大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室联合申请的常州市重大公共技术服务平台—“材料表面工程技术与装备创新服务平台”建设。
       1994年和2000年作为主要参与者,先后完成了两代电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)设备的设计和建造工作;2007年1月至6月作为项目负责人为北京一公司设计建造了ECR-PEMOCVD设备,并提供了氮化硅薄膜的室温沉积工艺。
        2005年1月至2007年12月作为项目负责人完成了两项国家自然基金项目和一项辽宁省教育厅项目。1996年今,作为主要参加者还参与了氮化镓(GaN)基半导体材料PEMOCVD低温生长方面的五项国家自然科学基金项目、一项国家八六三项目(No.715-011-0033)和一项国家重大基础研究(973)专项项目等, 在ECR-PEMOCVD设备的设计制造、GaN薄膜的低温生长及光电特性研究方面有扎实的理论基础和丰富的实践经验。


    主持或参加科研项目及人才计划项目情况(按时间倒序排序):
    1、国家自然科学基金面上项目,61474013、SiC MOS器件界面缺陷及其钝化研究、2015/01-2018/12、79万元、在研、参加。
    2、国家自然科学基金面上项目,51102034、GaN纳米线阵列的晶体缺陷控制及其光学特性、2012/01-2014/12、25万元、已结题、参加。
    3、国家自然科学基金主任基金,61040058、AlN/自持金刚石厚膜结构高频声表面波滤波器的研制、2011/01-2011/12、10万元、已结题、参加。
    4、国家自然科学基金面上项目,60976006、掺锰InGaN稀磁与中间带半导体薄膜的制备与特性、2010/01-2010/12、10万元、已结题、主持。
    5、国家自然科学基金面上项目,60476008、GaN基稀磁半导体量子点的自组织生长与特性、2004/01-2006/12、24万元、已结题、主持。
     6、国家自然科学基金面上项目,69976008、自组装GaN量子点结构的ECR-PAMOCVD生长与特性、2000/01-2002/12、15.3万元、已结题、参加。
    7、国家863项目,863-715-011-0033,立方GaN及GaN基蓝绿光激光材料的ECR等离子体辅助低温生长、1997/01-2000/12、60万元、已结题、参加。
    8、国家自然科学基金面上项目,69576003、GaN膜的ECR等离子体辅助MOCVD生长与特性研究、1996/01-1998/12、11.5万元、已结题、参加。

    近年来发表的研究论文:
    [1] Qin FuWen, Zhong Miaomiao, Liu Yuemei, Wang Hui, Bian Jiming, Wang Chong, Zhao Yue, Zhang Dong, Li Qinming. Growth of high c-orientated crystalline GaN films on amorphous Cu/glass substrates with low-temperature ECR-PEMOCVD,Journal of Materials Science: Materials in Electronics,2014,25(2):969-973。
    [2] Qin Fuwen, Zhong Miaomiao, Wang Chong, Liu Yuemei, Bian Jiming, Wang Enping, Wang Hui, Zhang Dong. Deposition and characteristics of GaN films on Ni metal substrate by ECR-PEMOCVD,Journal of Materials Science: Materials in Electronics,2013,24(12):5069-5074
    [3] Qin Fuwen, Zhang Dong, Bai Yizhen, Ju Zhenhe, Li Shuangmei, Li Yucai, Pang Jiaqi, Bian Jiming. Deposition and properties of highly c-oriented of InN films on sapphire substrates with ECR-plasma-enhanced MOCVD,Rare Metals,2012,31(2):150-153。
    [4] Liu Yuemei, Qin Fuwen, Zhang Dong, Bian Jiming, Zhao Yue, Wang Enping, Wang Shuai, Zhong  Miaomiao, Ju Zhenhe. Low-temperature growth of highly c-oriented GaN films on Cu coated glass substrates with ECR-PEMOCVD, Journal of Crystal Growth, 2013, 368:92-96
    [5] Duan Zhongwei, Qin Fuwen, Lin Guoqiang, Bian Jiming, Zhang Dong, Wang Enping. Effect of temperature on GaN films deposited on graphite substrates at low-temperature,Applied Surface Science,2013,280:909-913
    [6] Wang Enping, Bian Jiming, Qin Fuwen, Zhang Dong, Liu Yuemei, Zhao Yue, Duan Zhongwei, Wang Shuai. Effect of TMGa flux on GaN films deposited on Ti coated on glass substrates at low temperature, Chinese Science Bulletin,2013,58(30):3617-3623
    [7] Zhao Yue, Qin Fuwen, Bai Yizhen, Ju Zhenhe, Zhao Yan, Zhang Xiaohui, Li Shuangmei, Zhang Dong, Bian Jiming, Li Yang. Low temperature synthesis of GaN films on ITO substrates by
    ECR-PEMOCVD,Vacuum,2013,92:77-80
    [8] Liu W.F., Luo Y. L., Sang Y.C., Bian J.M., Zhao Y., Liu Y.H., Qin Fuwen. Adjusted surface work function of InN films annealed at vacuum and at high-pressure N-2 conditions,Materials
    Letters, 2013, 95:135-138。
    [9] Zhang Dong, Qin Fuwen, Bai Yizhen, Bian Jiming, Li Shuai, Pan Li, Zhi Anbo, Liu Xinglong, Jiang Xin. Effect of buffer layer on the structural and morphological properties of GaN films grown with ECR-PEMOCVD,Diamond and Related Materials, 2012, 21:88-91
    [10] Zhi Anbo, Qin Fuwen, Zhang Dong, Bian Jiming, Yu Bo, Zhou Zhifeng, Jiang Xin. Low-temperature growth of highly c-oriented InN films on glass substrates with ECR-PEMOCVD, Vacuum, 2012, 86(8):1102-1106
    [11]Zhang Dong,Qin Fuwen, Bai Yizhen, Bian Jiming, Li Shuai, Pan Li, Zhi Anbo, Liu Xinglong, Jiang Xin. Effect of buffer layer on the structural and morphological properties of GaN films grown with ECR-PEMOCVD, Diamond and Related Materials, 2012, 21(0):88-91。
    [12] Zhi Anbo, Qin Fuwen, Zhang Dong, Bian Jiming, Yu Bo, Zhou Zhifeng, Jiang Xin. Low-temperature growth of highly c-oriented InN films on glass substrates with ECR-PEMOCVD, Vacuum, 2012, 86(8):1102-1106
    [13] Liu Bingbing, Wang Dejun, Qin Fuwen. Enhanced TiC-SiC Ohmic contacts by ECR hydrogen plasma pretreatment and low-temperature post-annealing, Applied Surface Science, 2015, 355(20):59-63
    [14] Zhong, M.M., Qin Fuwen, Liu Y.M., Wang C., Bian J.M., Wang E.P., Wang H., Zhang D., Low-temperature growth of high c-orientated crystalline GaN films on amorphous Ni/glass substrates with ECR-PEMOCVD,Journal of Alloys and Compounds,2014,583:39-42
    [15] Zhu Qiaozhi, Qin Fuwen, Li Wenbo,Wang Dejun. Electrical and physical properties of 4H-SiC MOS interface with electron cyclotron resonance microwave nitrogen plasma post-oxidation annealing, Physica B: Condensed Matter, 2014, 432:89-95

    授权发明专利
    [1] 秦福文,林国强,刘勤华,金属基片垂直GaN基LED芯片及其制备方法,2014.12.17,中国,ZL 2012 1 0247142.9。
    [2] 秦福文,林国强,刘勤华,采用金属基片制备垂直GaN基LED芯片的设备,2014.12.17,中国,ZL 2012 1 0247144.8。

    教育经历

    1998.3 -- 2004.4
    大连理工大学       材料学       博士

    1991.1 -- 1994.1
    吉林大学       半导体物理与器件物理       硕士

    1987.9 -- 1991.7
    辽宁 大学       光学       学士

    工作经历

    1994.7 -- 至今

    大连理工大学      物理与光电工程学院      副教授      在职

    2013.10 -- 2014.9

    日本德岛大学      工学部电气电子工学科      访问学者      访问学者

    社会兼职

  • 研究方向

  • 氮化镓(GaN)薄膜在金属衬底上的等离子体增强低温生长研究

  • 石墨烯改性金属衬底上的GaN低温生长研究

  • 二硫化钼(MoS2)薄膜的生长及后续GaN薄膜的低温生长研究

  • 团队成员

    林国强团队