张赫之，大连理工大学微电子学院副教授。2016年5月在法国巴黎十一大学(universite de Paris sud)获得博士学位，师从法国国家科学院研究员Maria Tchernycheva。2016年8月，加入瑞士联邦理工大学(EPFL)，在Nicolas Grandjean教授研究组从事博士后研究员。本人博士及博后期间长期从事第三代宽禁带半导体器件的研究。研究领域包括：宽禁带半导体材料，电力电子与光电器件等。与国外多家公司合作包括美国公司GLO，瑞士公司exalos等。工作成果多次发表在ACS applied material andinterface,Applied physics letter,Nanotechnology等高水平期刊上。总共发表论文30余篇，其中第一作者8篇,总引用次数800多次。所做工作多次在国际著名会议IWN,CSW等报告。