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论文类型：期刊论文

发表时间：2012-06-15

发表刊物：微波学报

收录刊物：PKU、ISTIC

期号：S1

页面范围：182-186

ISSN号：1005-6122

关键字：基片集成波导;哑铃型缺陷地结构;SIW-DGS宽带带通滤波器

摘要：基片集成波导(SIW)具有和传统矩形金属波导相似的高通特性,某些缺陷地结构(DGS)具有低通特性,将二者结合起来可形成带通特性。在分析哑铃型DGS的低通特性的基础上,将其嵌入到SIW结构中,实现了一款宽带带通滤波器,通过三维电磁仿真软件HFSS的优化设计得到中心频率为11.71GHz,通带范围为9.06GHz~14.35GHz,相对带宽为45.18%的宽带带通滤波器,带内反射系数小于-10dB,带外抑制小于-40dB,插入损耗优于-1.18dB。