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Indexed by:期刊论文

Date of Publication:2006-03-30

Journal:光散射学报

Included Journals:CSCD

Volume:18

Issue:1

Page Number:43-47

ISSN No.:1004-5929

Key Words:ZnO薄膜;拉曼光谱;掺杂;Li+

Abstract:利用拉曼光谱分别对不同衬底上,未掺杂和掺杂以及掺杂浓度不同的ZnO薄膜进行了系统的分析研究.其中ZnO薄膜均由溶胶-凝胶法制得,掺杂源为LiCl.测得的拉曼光谱显示,Pt/Ti/SiO2/Si衬底上生长的ZnO薄膜的拉曼特征峰(437cm-1)的强度明显高于SiO2/Si衬底上ZnO薄膜的拉曼特征峰的强度,说明Pt/Ti/SiO2/Si衬底上ZnO的晶化程度比SiO2/Si上ZnO的晶化程度高;但ZnO拉曼特征峰的位置和半高宽并没有发生变化,说明两种衬底上ZnO薄膜中应力大小没有发生变化.掺Li+后,580cm-1处的峰位向高频方向移动,且掺杂浓度越大频移量越大,说明掺杂已经在不同程度上引起了ZnO晶体中自由载流子浓度的变化.此外,还分析了掺Li+未在很大程度上引起ZnO晶格畸变的原因.