Release Time:2019-03-10  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 2006-08-30

Journal: 电子显微学报

Included Journals: CSCD、ISTIC

Volume: 25

Issue: 4

Page Number: 316-319

ISSN: 1000-6281

Key Words: CdxZn1-xO薄膜;磁控溅射;能带调节

Abstract: 本文采用射频反应磁控溅射方法,在Si(100)上制备了不同Cd含量的CdxZn1-xO的薄膜.利用电子探针(EPMA)、原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)对薄膜的成分、表面形貌和晶体结构进行系统表征.结果表明:CdxZn1-xO(0≤x≤0.179)薄膜具有c轴择优取向,随着Cd含量增加,薄膜半峰宽(FWHM)变大,表面粗糙度增加,当x=0.108时出现相分离.透射光谱测试表明,通过调节Cd含量实现了对CdxZn1-xO的薄膜能带的调节.