常温下采用射频等离子体法合成碳化硅膜
Release Time:2019-03-11 Hits:
Indexed by: Journal Article
Date of Publication: 2005-03-25
Journal: 真空
Included Journals: ISTIC、PKU
Volume: 42
Issue: 2
Page Number: 27-30
ISSN: 1002-0322
Key Words: 碳化硅膜;射频等离子体;气相沉积
Abstract: 采用射频等离子体增强的气相沉积法,以硅烷和乙烯为原料,在常温下成功的合成了碳化硅薄膜.对于该条件下合成的碳化硅薄膜的结构特征,采用SEM、TEM、XRD、IR等手段进行了分析;分析结果表明我们的样品是以碳硅键为主的薄膜.