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Indexed by:期刊论文
Date of Publication:2005-03-25
Journal:真空
Included Journals:PKU、ISTIC
Volume:42
Issue:2
Page Number:27-30
ISSN No.:1002-0322
Key Words:碳化硅膜;射频等离子体;气相沉积
Abstract:采用射频等离子体增强的气相沉积法,以硅烷和乙烯为原料,在常温下成功的合成了碳化硅薄膜.对于该条件下合成的碳化硅薄膜的结构特征,采用SEM、TEM、XRD、IR等手段进行了分析;分析结果表明我们的样品是以碳硅键为主的薄膜.
