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HL-2A等离子体破裂期间逃逸电子演化模拟

Release Time:2019-03-10  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 2013-12-15

Journal: 核聚变与等离子体物理

Included Journals: CSCD、ISTIC、PKU、Scopus

Volume: 33

Issue: 4

Page Number: 297-303

ISSN: 0254-6086

Key Words: 逃逸电子;环向电场;等离子体破裂;HL-2A装置

Abstract: 采用数值模拟方法对托卡马克等离子体破裂期间的逃逸电子(RE)演化行为进行研究。程序所使用的物理模型包含了初级和次级两种RE产生机制,并耦合了麦克斯韦方程组。模拟结果显示:在等离子体破裂开始0.1~0.2ms后感应产生了很强的环向电场,持续约0.1ms之后该环向电场达到最大值,但是在大致2.5ms内逐渐衰减。同时模拟结果也证明了RE产生于等离子体中心处的局部区域,并且在破裂之后约1ms时间内就形成了RE束,实验中等离子体破裂之后出现的几十毫秒的电流平台主要是由RE携带的。从理论模拟与实验的对比中可以得出:HL-2A 15335次放电等离子体破裂期间欧姆电流转化为逃逸电流(RC)的转化率在40%~60%。次级产生机制在RE束的形成过程当中起到了关键作用。

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