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论文类型：期刊论文

发表时间：2016-07-14

发表刊物：微纳电子技术

收录刊物：PKU、ISTIC

卷号：53

期号：8

页面范围：541-546,551

ISSN号：1671-4776

关键字：独立多探针;微电子机械系统(MEMS);广域测量;SU-8探针;Si3N4弹性薄膜

摘要：针对广域光-接触多探针方法测量光刻胶表面形貌的需要,设计制作了Si基Si3 N4弹性膜独立多探针,该探针呈9×9二维阵列分布.先利用ANSYS有限元软件分析探针Si3N4弹性薄膜的厚度和面积尺寸对探针测量范围的影响规律,得到了优化的几何参数.然后基于仿真结果,运用微机电系统(MEMS)技术中的硅基工艺、薄膜工艺和光刻工艺完成了多探针硅杯的腐蚀、弹性薄膜的沉积及SU-8胶质探针的制作,制备出独立多探针.初步测量Si基Si3 N4弹性膜独立多探针单元的各项参数表明:Si3N4弹性膜的长度平均值为399.4 μm,最大偏差为1.8％;SU-8胶质探针的尺寸为Φ99.1 μm×27.8 μm,最大偏差分别为1.9％和9.8％;探针间的平均距离为1.5006 mm,最大偏差为0.6％.该探针的结构设计合理,制作工艺可行,可以用于大范围、快速测量方法.