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论文类型：期刊论文

发表时间：2008-05-15

发表刊物：中国激光

收录刊物：EI、PKU、ISTIC、CSCD

卷号：35

期号：5

页面范围：772-775

ISSN号：0258-7025

关键字：激光技术;激光弯曲;滑移线;堆垛层错;位错理论;位错浓度;位错移动

摘要：基于开展的薄硅片长脉冲激光弯曲成形实验,针对弯曲样品表面产生的滑移线和堆垛层错缺陷,结合实验所用规格硅片弯曲角度不超过35°的现象,运用位错理论分析在弯曲过程中硅晶体产生位错、层错现象的原因以及位错对激光弯曲成形的影响.说明了滑移线主要是位错堆积产生滑移的表现形式,而堆垛层错是位错相互叠加产生的不全位错导致的结果;提出薄硅片弯曲成形受到位错浓度和位错移动速度变化的影响.