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论文类型：期刊论文

发表时间：2008-03-15

发表刊物：中国激光

收录刊物：EI、PKU、ISTIC、CSCD

卷号：35

期号：3

页面范围：462-465

ISSN号：0258-7025

关键字：激光技术;等离子体;数值模拟;脉冲激光烧蚀;晶体Ge

摘要：建立了一维半导体Ge激光烧蚀模型,对不同功率密度的紫外激光烧蚀半导体Ge的过程进行了模拟,并对计算结果进行了分析,得到激光功率密度对烧蚀过程以及蒸气膨胀动力学特性的影响.结果表明,激光功率密度的变化对烧蚀过程影响非常大.照射的激光功率密度越大,靶的表面温度越高,蒸发深度、烧蚀蒸气温度和膨胀的速度、相应蒸气膨胀的空间尺度也越大,且等离子体屏蔽现象出现得越早.在给定的烧蚀条件下,等离子体屏蔽的阈值在1×108～1.5×108 W/cm2之间.