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论文类型：期刊论文

发表时间：1999-02-01

发表刊物：无机材料学报

收录刊物：SCIE、CSCD、Scopus、PKU

卷号：14

期号：1

页面范围：189

ISSN号：1000-324X

关键字：等离子体源离子渗氮;硼碳氮薄膜

摘要：采用等离子体源离子渗氮,即低能(1～3 keV)、超大剂量(1019～1020ions.cm-2)氮离子注入--同步热扩散技术,在300～500℃处理碳化硼薄膜,合成了硼碳氮三元薄膜. 俄歇电子能谱和漫反射富氏变换红外光谱分析表明,合成的硼碳氮薄膜是碳硼比固定,氮含量可控的非晶态薄膜. 300℃渗氮的薄膜由sp2型的硼、碳、氮微区构成,而500℃渗氮的薄膜则由sp3和sp2型复合的微区组成. 较高的渗氮工艺温度促进sp3型结构的形成,渗氮工艺时间对薄膜结构的影响不显著.