Release Time:2019-03-11  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 2005-07-15

Journal: 润滑与密封

Included Journals: Scopus、ISTIC、PKU、EI

Issue: 4

Page Number: 77-80

ISSN: 0254-0150

Key Words: ULSI;铜化学机械抛光;材料去除机理;腐蚀磨损

Abstract: 以超大规模集成电路(ULSI)芯片多层互连结构制造中的关键平坦化工艺--铜化学机械抛光(Cu-CMP)为研究对象,针对Cu-CMP中存在的抛光液的化学腐蚀作用和磨料的机械磨损现象,采用腐蚀磨损理论分析了Cu-CMP材料去除机理.提出铜CMP的材料去除中存在着机械增强的化学腐蚀和化学增强的机械磨损,并分析了Cu-CMP的静态腐蚀材料去除、机械增强的腐蚀去除与化学增强的机械去除机理.