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Indexed by:期刊论文

Date of Publication:2008-06-15

Journal:机械科学与技术

Included Journals:ISTIC、CSCD

Volume:27

Issue:6

Page Number:812-814,818

ISSN No.:1003-8728

Key Words:CMP;有机碱;铜;材料去除率

Abstract:分别使用几种有机碱作为络合剂、SiO2水溶胶为磨料、H2O2为氧化剂,复配后分别进行相同工艺参数的抛光试验.试验结果表明:乙二胺强络合作用明显,对铜的去除率最大可以达到850.8 nm/min,表面粗糙度Ra=13.540(A) ;二羟基乙基乙二胺和二乙醇胺去除率较低,本试验中最大分别为71.8 nm/min和25.1 nm/min.乙二胺适合用于碱性环境下的ULSI铜抛光液,材料去除率较高的原因是有效的强络合作用与抛光参数相匹配以及化学作用和机械作用动态平衡的结果.