Release Time:2019-03-10  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 2008-08-15

Journal: 光学精密工程

Included Journals: CSCD、ISTIC、PKU、EI、Scopus

Volume: 16

Issue: 8

Page Number: 1440-1445

ISSN: 1004-924X

Key Words: 单晶硅片;磨削;相变

Abstract: 为揭示硅片自旋转磨削加工过程中材料的去除机理,采用显微拉曼光谱仪研究了硅片磨削表面的相变.结果表明:半精磨和精磨硅片表面存在α-Si相、Si-Ⅲ相、Si-Ⅳ相和Si-Ⅻ相,这表明磨削过程中Si-Ⅰ相发生了高压金属相变(Si-Ⅱ相).Si-Ⅱ相容易以塑性方式去除.粗磨硅片表面没有明显的多晶硅,只有少量的非晶硅出现,材料以脆性断裂方式去除.从粗磨到精磨,材料去除方式由脆性断裂去除向塑性去除过渡.粗磨向半精磨过渡时,相变强度越大,材料的塑性去除程度越大;半精磨向精磨过渡时,相变强度越小,材料的塑性去除程度越大.