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摩擦化学反应活化能在SiO2-CMP中的作用

Release Time:2019-03-10  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 2010-05-15

Journal: 纳米技术与精密工程

Included Journals: CSCD、ISTIC、EI、Scopus

Volume: 08

Issue: 3

Page Number: 275-280

ISSN: 1672-6030

Key Words: 摩擦化学反应活化能;层间介质膜;化学机械抛光

Abstract: 基于摩擦化学反应动力学,在修正阿伦尼乌斯公式的基础上,建立了考虑摩擦效应在内的化学反应速率方程,并建立SiO2介质膜化学机械抛光总材料去除率模型;同时,通过浸泡、变温抛光试验确定了材料去除模型.研究结果表明,在化学机械抛光(CMP)过程中,因为反应速率对温度的依赖程度降低,摩擦产生的机械能除了部分转化为热能等其他形式的能,绝大部分直接转化为化学能,即直接降低了化学反应活化能,从而提高了反应速率;纯化学作用和纯机械作用在整个CMP去除量中所占比重很小,可以忽略不计;不同浓度通过对摩擦力和活化能降低量的影响,从而影响了温度和抛光效果的相关性,活化能降低量与摩擦力基本呈线性关系.

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