Release Time:2019-03-10  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 2006-03-30

Journal: 半导体学报

Included Journals: CSCD、EI

Volume: 27

Issue: 3

Page Number: 506-510

ISSN: 0253-4177

Key Words: 硅片;亚表面损伤;角度抛光;缺陷腐蚀;劈尖于涉

Abstract: 提出了一种改进的角度抛光方法来测量硅片的亚表面损伤.其原理是:经过研磨和化学机械抛光后,起保护作用的陪片靠近胶黏剂的一端形成一个无损伤的、完整的劈尖,劈尖的棱边作为测量亚表面损伤的基准;角度抛光的倾斜角可通过劈尖上面产生的干涉条纹准确地测量得到.采用这种方法可以方便、准确地测量硅片由切割、研磨和磨削引起的亚表面损伤,其能够测量的最小损伤深度为几百纳米.