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Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 2012-09-25

Journal: 材料导报

Included Journals: CSCD、ISTIC、PKU

Volume: 26

Issue: 18

Page Number: 142-147

ISSN: 1005-023X

Key Words: 第一性原理;Sb掺杂GaAs;电子结构;光学性质

Abstract: 采用基于密度泛函理论( DFT)框架下广义梯度近似平面波超软赝势法,计算了不同浓度Sb掺杂闪锌矿G-aAs体系GaAs1xSbx(x=0,0.25,0.5,0.75,1)的电子结构和光学性质,包括能带、态密度、复介电函数和吸收系数.计算结果表明,Sb掺杂导致体系晶格常数线性增大,并使得体系导带和价带组成发生改变,禁带宽度呈二次多项式变化.随着掺杂浓度的增加,体系静态介电常数线性增大,吸收带边出现了明显的红移现象.分析了掺杂Sb诱发GaAs1-xSbx体系的电子和光学性质改变,为Sb掺杂闪锌矿GaAs在光电子学和微电子学方面的实际应用提供了一定的理论依据.