Release Time:2019-03-11  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 2009-08-01

Journal: 物理学报

Included Journals: Scopus、CSCD、ISTIC、PKU、SCIE

Volume: 58

Issue: 8

Page Number: 5736-5743

ISSN: 1000-3290

Key Words: ZnO薄膜;缓冲层;退火处理;应力分析

Abstract: 采用反应磁控溅射法在Si(111)基片上制备了带有Ti缓冲层的高c轴取向ZnO薄膜.通过X射线衍射分析和光致荧光光谱测量,研究了Ti缓冲层厚度和退火处理对ZnO薄膜结晶质量和光致荧光特性的影响.研究结果表明,Ti缓冲层的引入可以有效改善Si基片上ZnO薄膜的发光性能,但缓冲层存在一个最佳的厚度.薄膜应力是影响ZnO薄膜紫外荧光发射性能的重要因素,较小的残余应力对ZnO薄膜的紫外荧光发射是有利的,残余应力的存在可以改变ZnO薄膜紫外荧光发射能量.随着退火温度的增加,薄膜中的张应力增大,导致带隙宽度减小以及激子复合跃迁峰逐渐向低能方向移动.