Release Time:2019-03-11  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 2014-07-08

Journal: 物理学报

Included Journals: CSCD、ISTIC、PKU、EI、SCIE、Scopus

Volume: 63

Issue: 13

Page Number: 393-397

ISSN: 1000-3290

Key Words: GaN;表面态调控;荧光光谱

Abstract: 采用高阻本征GaN薄膜,通过H3PO4刻蚀和SiOxNy薄膜钝化方法对GaN薄膜进行表面态调控,研究了表面态调控对GaN薄膜光致荧光光谱的影响.研究发现,H3PO4刻蚀对改善GaN薄膜的紫外荧光发射作用不大,但显著增加可见荧光的强度;经SiOxNy薄膜表面钝化的GaN紫外荧光量子效率增加12—13倍,同时对可见荧光有明显增加.通过比较H3PO4刻蚀和SiOxNy薄膜钝化的室温和低温荧光光谱,探讨了表面态调控对GaN紫外荧光、蓝带荧光和黄带荧光的影响及相关物理机理.