Release Time:2019-03-11  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 2014-10-15

Journal: 人工晶体学报

Included Journals: CSCD、ISTIC、PKU、EI

Volume: 43

Issue: 10

Page Number: 2732-2737

ISSN: 1000-985X

Key Words: Zn1-xBexO合金;形成能;受主离化能;第一性原理

Abstract: 采用第一性原理计算方法,通过改变Zn1-xBexO合金中Be的浓度及其掺杂位型,研究N在Zn1-xBexO合金中的形成能和受主离化能,分析了p型导电的可能性.结果表明:Be-N共掺杂时,N优先占据周围没有Be的O位置,每增加一个Be近邻掺杂原子,No的形成能增加约0.2 eV.当近邻Be原子数为2和3时,No的受主离化能比较低.Be浓度为11at％时,具有2个近邻Be原子的No的受主离化能降低至0.1 eV左右,可以认为是浅受主,Be-N共掺ZnO才可能呈p型导电.考虑No在室温条件下的受主离化率和No形成能的影响,估算出Be-N所提供的空穴载流子浓度不会高于1017 cm-3;如果计及n型背景载流子的补偿效应,Be-N共掺ZnO的p型导电率应该比较低.