论文成果
Si(001)基片上反应射频磁控溅射ZnO薄膜的两步生长方法
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- 论文类型：期刊论文
- 发表时间：2007-04-12
- 发表刊物：物理学报
- 收录刊物：SCIE、PKU、ISTIC、CSCD
- 文献类型：J
- 卷号：56
- 期号：04
- 页面范围：2369-2376
- ISSN号：1000-3290
- 关键字：ZnO薄膜;反应射频磁控溅射;两步生长;形貌分析
- 摘要：利用反应射频磁控溅射技术,采用两步生长方法制备了ZnO薄膜,探讨了基片刻蚀时间和低温过渡层沉积时间对ZnO薄膜生长行为的影响.研究结果表明,低温ZnO过渡层的沉积时间所导致的薄膜表面形貌的变化与过渡层在Si(001)表面的覆盖度有关.当低温过渡层尚未完全覆盖基片表面时,ZnO薄膜的表面岛尺度较小、表面粗糙度较大,薄膜应力较大;当低温过渡层完全覆盖Si(001)基片后,ZnO薄膜的表面岛尺度较大、表面粗糙度较小,薄膜应力较小.基片刻蚀时间对薄膜表面形貌的影响与低温过渡层的成核密度有关.随着刻蚀时间的增加,ZnO薄膜的表面粗糙度逐渐下降,表面形貌自仿射结构的关联长度逐渐减小.
