|
个人信息Personal Information
教授
博士生导师
硕士生导师
性别：男
毕业院校：复旦大学
学位：博士
所在单位：物理学院
学科：凝聚态物理
办公地点：大连理工大学三束材料改性重点实验室1号楼203房间
联系方式：qyzhang@dlut.edu.cn 0411-84707930 转 13
电子邮箱：qyzhang@dlut.edu.cn
扫描关注
Si(001)基片上反应射频磁控溅射ZnO薄膜的两步生长方法
点击次数：
论文类型：期刊论文
发表时间：2007-04-12
发表刊物：物理学报
收录刊物：SCIE、PKU、ISTIC、CSCD
卷号：56
期号：04
页面范围：2369-2376
ISSN号：1000-3290
关键字：ZnO薄膜;反应射频磁控溅射;两步生长;形貌分析
摘要：利用反应射频磁控溅射技术,采用两步生长方法制备了ZnO薄膜,探讨了基片刻蚀时间和低温过渡层沉积时间对ZnO薄膜生长行为的影响.研究结果表明,低温ZnO过渡层的沉积时间所导致的薄膜表面形貌的变化与过渡层在Si(001)表面的覆盖度有关.当低温过渡层尚未完全覆盖基片表面时,ZnO薄膜的表面岛尺度较小、表面粗糙度较大,薄膜应力较大;当低温过渡层完全覆盖Si(001)基片后,ZnO薄膜的表面岛尺度较大、表面粗糙度较小,薄膜应力较小.基片刻蚀时间对薄膜表面形貌的影响与低温过渡层的成核密度有关.随着刻蚀时间的增加,ZnO薄膜的表面粗糙度逐渐下降,表面形貌自仿射结构的关联长度逐渐减小.