张庆瑜
个人信息Personal Information
教授
博士生导师
硕士生导师
性别:男
毕业院校:复旦大学
学位:博士
所在单位:物理学院
学科:凝聚态物理
办公地点:大连理工大学三束材料改性重点实验室1号楼203房间
联系方式:qyzhang@dlut.edu.cn 0411-84707930 转 13
电子邮箱:qyzhang@dlut.edu.cn
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Ar,Ti离子注入Si3N4表面改性的研究
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论文类型:期刊论文
发表时间:1994-01-01
发表刊物:硅酸盐学报
收录刊物:PKU、CSCD
卷号:22
期号:6
页面范围:546
ISSN号:0454-5648
关键字:离子注入; 氮化硅; 结合力; 硬度; 韧性
摘要:研究了Si_3N_4陶瓷及其表面蒸镀Al膜试样的离子注入效果。结果表明,Ti高子的注入与Ar离子的注入都可提高Al膜与陶瓷基体的结合力,并在一定的注入剂量范围内随着注入剂量的增加,Al膜与陶瓷基体的结合力也有增加的趋势。Ti离子的注入使表面硬度增加,表面硬度随Ti离子注入量的增加而提高。Ar离子的注入(10 ̄(15)Ions·cm ̄(-2))也使表面硬度增加,但继续增加Ar离子的注入量,表面硬度却下降。根据显微硬度压痕附近的裂纹长度,评价了Ti离子注入Si_3N_4陶瓷表面的断裂韧性。离子注入可改善Si_3N_4陶瓷的表面韧性,并且随着离子注入剂量的增加,韧性改善的幅度也变大。