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论文类型：期刊论文

发表时间：2009-05-01

发表刊物：无机材料学报

收录刊物：SCIE、EI、PKU、ISTIC、CSCD、Scopus

卷号：24

期号：3

页面范围：602-606

ISSN号：1000-324X

关键字：ZnO薄膜;反应射频磁控溅射;偏压;形貌分析

摘要：利用反应射频磁控溅射技术,通过对基体施加负偏压溅射ZnO薄膜,探讨了固定偏压下ZnO薄膜的表面形貌随沉积时间的演化以及不同偏压对ZnO薄膜表面形貌的影响. 研究结果表明,在-100V的偏压下,随着沉积时间的增加,ZnO薄膜的表面岛尺寸不断减小,密度逐渐变大. ZnO在基片表面成核过程中的本征缺陷成核阶段和轰击缺陷成核阶段的生长指数分别为(0.45±0.03)和(0.22±0.04),低速率成核过程基本消失;随着偏压增大,表面岛的尺寸变大,表面起伏增加. 偏压不但可以改变ZnO薄膜的成核和生长过程,而且影响薄膜的晶体取向.