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论文类型：期刊论文

发表时间：2012-05-30

发表刊物：功能材料

收录刊物：EI、PKU、ISTIC、CSCD、Scopus

卷号：43

期号：10

页面范围：1268-1272

ISSN号：1001-9731

关键字：HfTaO薄膜;磁控溅射;光学性能;热稳定性

摘要：采用反应射频磁控溅射技术制备HfTaO薄膜,利用X射线衍射（XRD）分析了薄膜的微结构,通过紫外-可见光分光光度计测量了薄膜的透过谱,计算了薄膜的折射率和禁带宽度,利用原子力显微镜观察了薄膜的表面形貌。结果表明,随着Ta掺入量（10%,26%,50%）的增加,HfTaO薄膜的结晶化温度分别为800、900、950℃,Ta掺入量继续增加到72%,经过950℃退火处理的HfTaO薄膜仍然保持非晶态,具有优良的热稳定性。AFM形貌分析显示非晶HfTaO薄膜表面非常平整。在550nm处薄膜折射率n随着Ta掺入量的增大而增大,n的变化区间为1.90～2.15。同时HfTaO薄膜的光学带隙Eg随着Ta掺入量的增大而逐渐减小,Eg的变化区间为4.15～5.29eV。