Indexed by:期刊论文

Date of Publication:2003-06-01

Journal:高等学校化学学报

Included Journals:SCIE、PKU、ISTIC、CSCD

Volume:24

Issue:6

Page Number:977-979

ISSN No.:0251-0790

Key Words:离子蚀刻;晶貌;TS-1,结晶度;活性位

Abstract:钛硅沸石TS-1[1]的微孔体系由同是十元氧环的直通道和"Z"字形通道相交而成, 孔径0.51～0.56 nm, 晶体结构与硅铝ZSM-5沸石的MFI结构相同. TS-1能以稀双氧水为氧源, 使烃类发生选择氧化, 生成含氧化合物[2～8]. 并已在催化苯酚羟基化和环己酮氨氧化方面实现了工业化[9]. 但通常只有小晶粒TS-1(100～300 nm)才有令人满意的催化活性[9,10]. 迄今, 水热合成是改变TS-1晶貌特征的唯一有效途径, 而要得到小晶粒TS-1, 则需使用昂贵的四丙基氢氧化铵模板剂[9,11]. 文献[12]报道, 机械球磨可以改变大晶粒沸石的晶貌, 使沸石粒度变细.