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论文类型：期刊论文

发表时间：2009-08-15

发表刊物：光学精密工程

收录刊物：EI、PKU、ISTIC、CSCD、Scopus

卷号：17

期号：8

页面范围：1865-1869

ISSN号：1004-924X

关键字：硅尖;各向异性;氧化削尖;掩模

摘要：为制备高纵横比的纳米硅尖,研究了掩模的偏转方向对硅尖形状的影响.设计了硅尖制备的工艺流程,采用KOH溶液湿法各向异性腐蚀(100)单晶硅的方法制备硅尖,根据实验结果和{411}晶面模型,分析了硅尖侧壁的组成晶面,讨论了掩模偏转方向对硅尖形状的影响,得到了制备高纵横比纳米硅尖的工艺参数.实验结果表明:当腐蚀溶液浓度和温度一定时,正方形掩模的方向并不影响快腐蚀晶面的类型,利用正方形掩模的偏转,可以制备出八面体和四面体的硅尖.当正方形掩模边缘沿〈110〉晶向时,在78 ℃、浓度为40%的KOH溶液中腐蚀硅尖,经980 ℃干氧氧化3 h进行削尖,可制备出纵横比＞2的八面体纳米硅尖阵列,硅尖侧壁由与(100)面夹角为76.37°的{411}晶面组成.