高性能CMOS低噪声放大器的设计
Release Time:2019-03-10 Hits:
Indexed by: Conference Paper
Date of Publication: 2007-08-06
Page Number: 457-458
Key Words: 低噪声放大器;射频电路;额外栅源电容;CMOS工艺
Abstract: 本文讨论了射频CMOS低噪声放大器的相关设计问题、对比了几种提高线性度的方法、引入额外栅源电容及PMOSIMD，从而改善了线性度与功耗.实现了高线性度低功耗2.4 GHz CMOS LNA，功耗仅为4.3 mW.本文采用Chartered0.18 μm RF CMOS工艺及ADS仿真器.