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副教授
硕士生导师
性别：男
毕业院校：大连理工大学
学位：硕士
所在单位：信息与通信工程学院
学科：通信与信息系统
办公地点：创新园大厦 A311
联系方式：13500754382 0411-84706262
电子邮箱：xieyp@dlut.edu.cn
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高性能CMOS低噪声放大器的设计
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论文类型：会议论文
发表时间：2007-08-06
页面范围：457-458
关键字：低噪声放大器;射频电路;额外栅源电容;CMOS工艺
摘要：本文讨论了射频CMOS低噪声放大器的相关设计问题、对比了几种提高线性度的方法、引入额外栅源电容及PMOSIMD，从而改善了线性度与功耗.实现了高线性度低功耗2.4 GHz CMOS LNA，功耗仅为4.3 mW.本文采用Chartered0.18 μm RF CMOS工艺及ADS仿真器.