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论文类型：期刊论文

发表时间：2008-10-01

发表刊物：物理学报

收录刊物：SCIE、PKU、ISTIC、CSCD、Scopus

卷号：57

期号：10

页面范围：6450-6456

ISSN号：1000-3290

关键字：等离子体源离子注入;鞘层;两维panicle-in-cell方法;离子运动轨迹

摘要：利用两维particle-in-cell方法研究了半圆形容器表面等离子体源离子注入过程中鞘层的时空演化规律.详尽考察了鞘层内随时间变化的电势分布和离子密度分布规律,离子在鞘层中的运动轨迹和运动状态,得到了半圆容器内、外表面和边缘平面上各点离子注入剂量分布规律,获得了工件表面各点注入离子的入射角分布规律.研究结果揭示了半圆容器边缘附近鞘层中离子聚焦现象,以及离子聚焦现象导致工件表面注入剂量分布和注入角度分布存在很大不均匀的基本物理规律.