Release Time:2019-03-10  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 2004-10-15

Journal: 光电子.激光

Included Journals: CSCD、ISTIC、PKU、EI、Scopus

Volume: 15

Issue: 10

Page Number: 1162-1165,1180

ISSN: 1005-0086

Key Words: 中频溅射;Yb3+/Er3+共掺;光致发光光谱;退火

Abstract: 用中频孪生靶溅射法在硅片上制备了镱铒共掺氧化铝薄膜(2 cm×2 cm),在室温下检测到薄膜的位于1 535 nm的很强的光致发光光谱(PL),讨论了泵浦功率、镱铒共掺比例、退火温度对光致发光光谱强度的影响.扫描电镜(SEM)观察分析表明,中频孪生靶溅射法沉积的薄膜致密、均匀、光学缺陷少.实验结果表明:镱铒共掺薄膜的荧光强度不随泵浦功率的增加而饱和,最佳的镱铒共掺杂比例9∶1,最佳退火温度850 ℃,对各种实验结果给出了理论的解释.