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论文类型：期刊论文

发表时间：2008-10-01

发表刊物：物理学报

收录刊物：SCIE、PKU、ISTIC、CSCD、Scopus

卷号：57

期号：10

页面范围：6604-6608

ISSN号：1000-3290

关键字：镱铒共掺Al2O3薄膜;中频磁控溅射;上转换;荧光强度比

摘要：采用中频磁控溅射法制备了镱铒共掺Al2O3薄膜,铒镱掺杂浓度分别为0.3%,3.6%(摩尔分数,全文同).讨论了三价铒离子529 nm和549 nm光致发光的上转换机理.在291.8-573.3 K温度区间测量了两绿上转换光谱荧光强度比的温度特性,拟合表达式为R=5.37exp(-738/T).366 K温度时灵敏度最大,为0.0039 K-1.结果表明镱铒共掺Al2O3薄膜适合作为小型、高温和高灵敏的光学温度传感材料.