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论文类型：期刊论文

发表时间：2004-10-15

发表刊物：光电子.激光

收录刊物：Scopus、EI、PKU、ISTIC、CSCD

卷号：15

期号：10

页面范围：1162-1165,1180

ISSN号：1005-0086

关键字：中频溅射;Yb3+/Er3+共掺;光致发光光谱;退火

摘要：用中频孪生靶溅射法在硅片上制备了镱铒共掺氧化铝薄膜(2 cm×2 cm),在室温下检测到薄膜的位于1 535 nm的很强的光致发光光谱(PL),讨论了泵浦功率、镱铒共掺比例、退火温度对光致发光光谱强度的影响.扫描电镜(SEM)观察分析表明,中频孪生靶溅射法沉积的薄膜致密、均匀、光学缺陷少.实验结果表明:镱铒共掺薄膜的荧光强度不随泵浦功率的增加而饱和,最佳的镱铒共掺杂比例9∶1,最佳退火温度850 ℃,对各种实验结果给出了理论的解释.