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Indexed by:期刊论文
Date of Publication:2010-10-15
Journal:人工晶体学报
Included Journals:EI、PKU、ISTIC、CSCD、Scopus
Volume:39
Issue:5
Page Number:1119-1123
ISSN No.:1000-985X
Key Words:ZnO薄膜;磁控溅射;结晶质量;退火处理
Abstract:利用磁控溅射法于500 ℃、550 ℃、600 ℃和650 ℃下在Al2O3(001)衬底上生长ZnO薄.对生长的ZnO薄膜后分别进行了800 ℃退火和1000 ℃退火处理.利用X射线衍射(XRD)、霍尔测试仪和透射谱仪对薄膜的结构、电学和光学性质进行了研究,结果表明合适的生长温度和退火温度能够提高ZnO薄膜的结晶质量和性能.
