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Indexed by:会议论文

Date of Publication:2013-08-29

Page Number:475-476

Key Words:石墨烯;不完全氧化;化学势;第一性原理;悬挂键;放热过程;第一原理;能垒;杂化;贫氧;

Abstract:　　通过第一原理计算，根据氢化学势( )和氧化学势( )构建了氧化石墨烯的第一原理相图，并分析了不同结构和组成的氧化石墨烯的热力学稳定性。由相图得知，对于完全氧化石墨烯和不完全氧化石墨烯，生成空缺都是放热过程，并且由sp？ ？ ？ ？3杂化的C原子生成CO2而形成的单空缺最为稳定。单空缺结构中空缺位置C原子上的悬挂键被氧桥。单空缺进一步生长成双空缺同样是放热过程，但是O和OH在氧化石墨烯上扩散能垒很高，限制了这些反应物中的进一步扩散，从而抑制了双空缺在贫氧条件下的继续生长。