Release Time:2019-03-10  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 2008-03-15

Journal: 中国有色金属学报

Included Journals: CSCD、ISTIC、PKU、EI

Volume: 18

Issue: 3

Page Number: 449-456

ISSN: 1004-0609

Key Words: Sn/Cu;金属间化合物层;时效;强磁场

Abstract: 钎焊和扩散焊制备的Sn/Cu接头在无磁场下不同温度时效,研究接头界面处金属间化合物(IMC)层的生长行为.结果表明:两种接头界面IMC层在时效初始时刻的横截面和形貌均不同,在时效过程中的生长行为类似,钎焊和扩散焊接头界面IMC层的生长激活能分别为116和94 kJ/mol.为研究强磁场对界面IMC层生长行为的影响,两种试样在190 ℃、磁场强度为8 T时效.实验结果表明:两种接头界面IMC层的生长动力学相同,但晶粒形貌和晶体取向差别明显.